2017年1月1日 星期日

南韓記憶體大廠SK海力士和紫光集團旗下的長江存儲都加入3D NAND Flash軍備競爭

儲存型快閃記憶體(NAND Flash)軍備競賽再起,南韓記憶體大廠SK海力士和紫光集團旗下的長江存儲都加入3D NAND Flash軍備競爭,尤其長江存儲武漢廠啟動建廠,將在2018年投產,為屆時市場出現供過於求情況埋下隱憂。
目前各市調機構均看好明年NAND Flash仍然供不應求,但南韓記憶體大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃記憶體廠,在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元,擴充產能,希望市占率能趕上三星,但為NAND Flash市場投下新變數。
稍早三星和美光也都宣布進一步擴產行動。三星也正於京畿道平澤建設新廠,預定2017年上半年啟用,第一期投資額15.6兆韓元(134億美元),估計12吋晶圓產量可達20萬片,雖然三星還未敲定生產項目,但市場推測,因三星DRAM市占已接近50%門檻,有反托辣斯法要求分割疑慮,應仍會以發展3D NAND Flash 為主。
另外,三星大陸西安廠NAND Flash首期生產規模也達每月10萬片。
美光併購爾必達後,將新加坡DRAM廠轉為生產NAND Flash,同時也全力發展3D NAND Flash,其中新加坡10X廠已於今年9月正式投產3D NAND Flash,美光執行長鄧肯(Mark Durcan)還專程抵達新加坡主持啟用典禮。
全球第二大快閃記憶體供應商東芝半導體也宣布在日本四日市進行擴建,新產能也預定2017年陸續產出。

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